[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202110559569.1 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113707646A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 内田慎一;中柴康隆;桑原慎一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 黄倩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：第一基板；形成在第一基板上的多层布线层；第一电感器，在平面图中，该第一电感器被形成为多层布线层上的曲折形状；以及第二电感器，在平面图中，该第二电感器被形成为多层布线层上的曲折形状，并且被布置为在平面图中与第一电感器靠近且与第一电感器不重叠。变压器由第一电感器和第二电感器来构造；并且在平面图中，第一电感器和第二电感器沿着第一方向延伸，第一基板的一侧在该第一方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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