[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；沟槽隔离环，形成于衬底中，沟槽隔离环填充有掺杂的半导体材料层；沟槽隔离环引出电极，形成于掺杂的半导体材料层上，用于将掺杂的半导体材料层电引出；用于形成光电二极管的离子掺杂区，形成于沟槽隔离环所环绕的衬底中；离子掺杂区引出电极，形成于离子掺杂区上，用于将离子掺杂区电引出；掺杂的半导体材料层与离子掺杂区通过沟槽隔离环引出电极与离子掺杂区引出电极串联，用于向离子掺杂区提供淬灭电阻。本发明的技术方案能够避免相邻的光电二极管之间的相互串扰，降低暗电流的影响；且能够降低工艺成本，以及避免导致器件的缺陷增加而影响量子效率。