[发明专利]一种半导体电迁移测试电路及测试方法在审
| 申请号： | 202110562617.2 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113030685A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 田文星;吴启熙;宋佳华 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体电迁移测试电路及测试方法，所述半导体测试电路包括：若干个金属测试线；多级电流源模块，包括若干个晶体管，其设置在所述金属测试线的一侧，且连接所述金属测试线的一端；若干个测试点，包括至少四个焊盘，其设置在所述多级电流源模块与所述金属测试线的两端。将若干个金属测试线放置在所述测试点上，并在所述多路比例电流源的一端施加总电流，形成所述多路比例电流源的输出电流，获得相对应所述金属测试线的输入电流；检测每个所述金属测试线两端的电阻值；根据所述输入电流和所述电阻值，获得所述金属测试线的电迁移。通过本发明提供的一种半导体电迁移测试电路及测试方法，提高测试效率，有效评估不同宽度的金属层电迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 迁移 测试 电路 方法 | ||
【主权项】：
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