[发明专利]一种源漏双掺杂可重构场效应晶体管有效
| 申请号： | 202110562892.4 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113299758B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 孙亚宾;张芮;石艳玲;刘赟;李小进 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种源漏双掺杂可重构场效应晶体管，包括鳍型沟道，设于鳍型沟道两端具有三层结构的源端和漏端，设于鳍型沟道左右两侧对称分布的边墙，与边墙接触、三面包裹鳍型沟道且对称分布于鳍型沟道左右两侧的栅极氧化物，三面包裹栅极氧化物的控制栅极和极性栅极。特征是源端和漏端均具备双掺杂，两端顶部为同种掺杂半导体，底部为同种异于顶部的掺杂半导体，沟道为本征硅或轻掺杂的硅。本发明与现有的肖特基结隧穿型可重构场效应晶体管（SBRFET）相比，源端不受费米能级钉扎影响，电流对称性更易调控，源漏双掺杂可同时提供大量电子和空穴，驱动电流密度提高的同时泄漏电流与SBRFET基本无异，故具有更为理想的电流开关比，逻辑响应更快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 源漏双 掺杂 可重构 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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