[发明专利]具有高激子利用率的ESIPT发光材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202110563642.2 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113563325B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 钱妍;杨涛;密保秀;高志强;蒋鑫晨;张宏梅 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C07D417/14 | 分类号： | C07D417/14;C09K11/06;H10K50/11;H10K85/60 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 钱超 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有高激子利用率的激发态分子内质子转移(ESIPT)发光材料及其制备方法与应用，结合ESIPT性质与热激活延迟荧光性质，设计合成能够发生高能级三重态激发态到单重态激发态间的快速反向系间窜越机制的ESIPT材料。该类材料分子激发态具有显著的杂化局域‑电荷转移性质，并具有高的激子利用率。同时，本发明的材料具有良好的热稳定性和成膜性，分别制备了单分子黄光和单分子白光OLED；本发明还将TADF蓝光材料与上述ESIPT黄光材料掺杂作为发光层，且两者之间能量传递受到阻断，通过掺杂比例调控互补色主客体发光峰，制备了低成本、可重复制备、高效、EL光谱稳定、色度可调的白光OLED器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 激子 利用率 esipt 发光 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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