[发明专利]一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉在审
| 申请号： | 202110570620.9 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113122927A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 周继承;曾世魁 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C30B31/10 | 分类号： | C30B31/10;C30B31/16;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 张换君 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体扩散工艺设备领域，公开一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，包括：炉门、炉体、进气管、出气管和隔热部，炉体一侧开口，炉门安装在炉体的开口处，炉门一端与炉体铰接，进气管和出气管分别与炉体连通，进气管至少为两个，炉体内靠近炉门一侧活动设置有隔热部。本方案可以使炉口气体浓度以及停留时间增加，并采用多路进气管，改善炉口处气体均匀性，提升了炉口附近硅片方阻扩散的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 硅片 均匀 扩散 | ||
【主权项】：
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