[发明专利]围坝层的抛光方法及围坝和陶瓷基板在审
| 申请号： | 202110570762.5 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113380633A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈文阳;罗玉杰;于正国 | 申请（专利权）人： | 赛创电气（铜陵）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B24B29/02;B24B49/00;H01L23/02;H01L23/15 |
| 代理公司： | 铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙) 34186 | 代理人： | 吴晨亮 |
| 地址： | 244000 安徽省铜陵*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了围坝层的抛光方法及围坝和陶瓷基板，包括以下步骤：对围坝层进行补充电镀，将补充电镀后的围坝层基板正面朝上，基板背面嵌入无蜡垫内，使用游星轮进行两次抛光，每次抛光的高速阶段转速为28rpm，得到整平效果合格的围坝层。本发明的有益效果是通过对抛光工艺的改进，采用游星轮+无蜡垫的方式以及对抛光转速的调整可以实现对围坝正面的合格抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 围坝层 抛光 方法 陶瓷 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
