[发明专利]晶体管在审
| 申请号： | 202110571787.7 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113299759A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 马可范达尔;布兰汀杜里兹;乔治奥斯韦理安尼堤斯;荷尔本朵尔伯斯;马礼修 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶体管包括第一栅极电极、复合沟道层、第一栅极介电层以及源极/漏极接触件。复合沟道层在第一栅极电极上，且包括依序堆叠的第一覆盖层、结晶半导体氧化物层以及第二覆盖层。第一栅极介电层位于第一栅极电极与复合沟道层之间。源极/漏极接触件设置在复合沟道层上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
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