[发明专利]一种SiC MOSFET子模组单元及其压接型封装在审
| 申请号： | 202110572614.7 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113380879A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王来利;王海骅;马定坤;赵成 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/43;H01L23/367;H01L23/49;H01L25/065 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET子模组单元及其压接型封装，属于半导体器件封装技术领域，解决了现有SiC功率芯片难以压接封装的问题。SiCMOSFET子模组单元包括DBC陶瓷基板、源极钼片、SiCMOSFET芯片阵列以及漏极钼片；所述源极钼片下表面对称设有N个第一凸起，所述第一凸起分别与N个SiCMOSFET芯片相连，并露出SiCMOSFET芯片的栅极和源极，所述漏极钼片上表面设置有N个用于连接和定位SiCMOSFET芯片的第二凸起，所述SiCMOSFET芯片阵列由N个SiCMOSFET芯片组成，其露出的栅极和源极连接至DBC陶瓷基板。本发明提高了模块的功率密度，增强了散热能力，提高了装置可靠性，模块内部使用硅凝胶填充提高了模块的绝缘水平，可以应用在高压领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 模组 单元 及其 压接型 封装 | ||
【主权项】：
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