[发明专利]零磁矢量场中常温π电子高导体及其制备方法有效
| 申请号： | 202110572963.9 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113380441B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王卫润东 | 申请（专利权）人： | 澳门听澜康诚新能源技术有限公司;王卫润东 |
| 主分类号： | H01B5/00 | 分类号： | H01B5/00;H01B5/02;H01B13/00 |
| 代理公司： | 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 13113 | 代理人： | 张红卫;刘丽丽 |
| 地址： | 中国澳门雅廉访大马*** | 国省代码： | 澳门;82 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种零磁矢量场中常温π电子高导体，包括两个结构完全相同的叠放设置的扁形常温π电子高导元；扁形常温π电子高导元由扁形导电励磁体和π电子平面励磁网叠放组成；扁形导电励磁体采用扁形导电体；π电子平面励磁网是以绝缘树脂胶为连续相，以拥有π电子元素的材料为分散相，且π电子在其规范场中受洛伦兹力和库仑力约束而排列有序并在扁形导电励磁体上固化形成的网状结构。本发明还公开了上述零磁矢量场中常温π电子高导体的制备方法。本发明提供的高导体常温导电率高，能够用于制备35000V以下低压配电的通电排、电机绕组、变压器绕组，能够以铝代铜节约用铜，实现降本增效，其市场前景广阔，经济价值巨大。 | ||
| 搜索关键词： | 矢量 常温 电子 导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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