[发明专利]一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺在审
| 申请号： | 202110575308.9 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113293442A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 马立强;闫志祥;张世平;马丹阳 | 申请（专利权）人： | 焦作晶锐光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/04 | 分类号： | C30B33/04;C30B29/30 |
| 代理公司： | 焦作市科彤知识产权代理事务所(普通合伙) 41133 | 代理人： | 陈湍南 |
| 地址： | 454000 河南省焦作市山阳*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明属于晶体加工技术领域的一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺，包括在硅碳棒退火炉中放置直径及高度均大于铌酸锂晶棒30mm的99氧化炉坩埚，将铌酸锂晶棒放置在99氧化铝坩埚中部，在铌酸锂晶棒上、下端均覆盖8～11mm厚多晶料块体层，在上下多晶料块体层上覆盖极性相反的第一电极片和第二电极片，使硅碳棒退火炉的炉温升至1150～1200℃并保温12个小时，保温过程中以铌酸锂晶棒的光轴方向按2mA/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 晶体 新型 化工 | ||
【主权项】：
暂无信息
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