[发明专利]半导体芯片的试验装置及试验方法在审
| 申请号： | 202110575844.9 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN114089150A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 竹迫良纪 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体芯片的试验装置及试验方法，使半导体芯片的损坏发生时的接触探针以及测定台的维护为所需的最小限度。如果将被测定器件导通，则其漏极源极间电压Vds降低，漏极电流Id升高。接下来，如果关断被测定器件，则其漏极源极间电压Vds急剧增大，漏极电流Id降低。如果在漏极电流Id降低期间，漏极电流Id存在急剧变化，则被测定器件被判断为损坏。算出施加到该损坏的被测定器件的能量。仅在施加能量超过设定值时，将试验装置停止并指示更换接触探针或测定台、或者更换它们二者。由此，抑制维护成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 试验装置 试验 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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