[发明专利]一种Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜与制备方法及应用在审
| 申请号： | 202110577084.5 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN115094458A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 宋安刚;朱地;王义文;赵保峰;关海滨;徐丹;王树元 | 申请（专利权）人： | 山东省科学院能源研究所 |
| 主分类号： | C25B11/052 | 分类号： | C25B11/052;C25B1/04;C25B1/55;C23C14/30;C23C14/58;C25B11/087;C25B11/077 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜与制备方法及应用，其制备方法为：通过电子束蒸发方法沉积镍铜复合膜，然后将镍铜复合膜在空气氛围下煅烧获得Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜；其中，电子束蒸发方法沉积过程中同时沉积镍与铜，且在沉积过程中采用冷阴极离子束进行辅助沉积。本发明的方法制备的Cu掺杂NiO薄膜能够进一步降低电阻率，使CuBi |
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| 搜索关键词： | 一种 cu 掺杂 nio 空穴 传输 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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