[发明专利]半导体工艺设备及其承载装置有效
申请号: | 202110577351.9 | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN113322449B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 陈波 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置包括:支撑组件、安装机构、驱动机构及检测组件;安装机构设置于工艺腔室的底壁上,并且部分们于底壁的外侧,支撑组件的底部可旋转地设置于安装机构内,支撑组件的顶端伸入工艺腔室内;驱动机构与支撑组件的底端传动连接,用于驱动支撑组件相对于安装机构自旋转;检测组件包括检测件及检测器,检测件设置于支撑组件与驱动器之间,并且能随支撑组件旋转,检测件上贯穿有检测部;检测器用于向检测部发射一光束,通过判断检测器的光束能否穿过检测部,用以确定支撑组件是否位于传输位置。本申请实施例实现了无需开启工艺腔室即可以实时检测到支撑组件是否位于传输位置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 及其 承载 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的