[发明专利]垂直可变电阻存储器件在审
| 申请号： | 202110578100.2 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113972234A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 金炫哲;金容锡;徐亨源;柳成原;李炅奂;洪载昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种垂直可变电阻存储器件，包括：栅电极，所述栅电极在衬底上沿第一方向彼此间隔开，每个所述栅电极包括石墨烯并沿第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的上表面，并且所述第二方向基本上平行于所述衬底的所述上表面；第一绝缘图案，所述第一绝缘图案位于所述栅电极之间，每个所述第一绝缘图案包括氮化硼(BN)；以及至少一个柱状结构，所述至少一个柱状结构在所述衬底上沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述第一绝缘图案，其中，所述至少一个柱状结构包括：垂直栅电极，所述垂直栅电极沿所述第一方向延伸；以及可变电阻图案，所述可变电阻图案位于所述垂直栅电极的侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
