[发明专利]一种F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料的制备方法及应用有效
| 申请号： | 202110579182.2 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113308711B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 马德琨;李自新;武翔;郭长莲;徐全龙;齐陈泽 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院;温州大学 |
| 主分类号： | C25B11/091 | 分类号： | C25B11/091;C25B11/054;B82Y40/00;C25B1/30;C25B1/55 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤牡丹 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料的制备方法，所述方法包括合成CBO种子层；使用CBO种子层合成CBO纳米棒阵列光电阴极；合成F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极，将步骤S2中得到的CBO纳米棒阵列光电阴极放入NaF溶液中浸泡2h，取出烘干，300℃退火1h后得到F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料。本发明有益效果在于：所需原料绿色无毒、来源丰富，制备方法重复性好，可大规模合成；本发明制备的材料可用于光电催化还原O |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 cbo 纳米 阵列 光电 阴极 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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