[发明专利]集成电路及其形成方法在审
| 申请号： | 202110579205.X | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113363235A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 林建宏;张新君;谢明宏;王明义;卢胤龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了具有贯穿电路通孔(TCV)的集成电路(IC)及其形成方法。IC包括：半导体器件；分别设置在半导体器件的第一和第二表面上的第一和第二互连结构；分别设置在衬底的前表面和后表面上的第一和第二层间电介质(ILD)层；以及设置在第一和第二互连结构、第一和第二ILD层以及衬底内的TCV。TCV通过衬底的部分以及第一和第二ILD层的部分与半导体器件间隔开。布置在衬底的前表面上的TCV的第一端连接到第一互连结构的导线，布置在衬底的后表面上的TCV的第二端连接到第二互连结构的导线。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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