[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110580072.8 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113327983B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底，包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；栅极层，形成于所述半导体层上，所述栅极层包括主栅和扩展栅，所述扩展栅包括与所述主栅连接的第一部分以及位于所述第一部分的远离所述主栅一侧的第二部分；源极区和漏极区，分别形成于所述主栅两侧的半导体层中，所述第二部分的长度小于所述第一部分位于所述半导体层上的长度；体接触区，形成于所述第一部分的远离所述主栅一侧的半导体层中，所述体接触区至少与所述第二部分接触。本发明能够在考量到栅极层和体接触区的制作工艺的波动性影响的同时，还能提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110580072.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
