[发明专利]氮掺杂的非晶五氧化二铌薄膜的制备方法、全固态薄膜的锂离子电池正极以及锂离子电池有效
申请号: | 202110581636.X | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN113308677B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 夏晖;夏求应;岳继礼;昝峰;徐璟 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学北方研究院 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54;C23C14/24;C23C14/18;H01M4/131;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;H01M10/058 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张金铭 |
地址: | 300000*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供了一种氮掺杂的非晶五氧化二铌薄膜的制备方法、全固态薄膜的锂离子电池正极以及锂离子电池,涉及锂离子电池的技术领域,本发明氮掺杂的非晶五氧化二铌薄膜的制备方法包括如下步骤:通过磁控溅射制备非晶五氧化二铌薄膜,并在制备过程中进行氮掺杂,得到体相氮掺杂的非晶五氧化二铌薄膜。本发明制备方法得到的氮掺杂的非晶五氧化二铌薄膜致密、均匀并且具有明显提高的电子电导率,可以解决五氧化二铌薄膜由于电子电导率较差而无法发挥电极性能的问题。由该薄膜制备得到的锂离子电池的各层薄膜轮廓分明且具有较好的充放电可逆性、较好的倍率性能和循环性能。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 非晶五 氧化 薄膜 制备 方法 固态 锂离子电池 正极 以及 | ||
【主权项】:
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