[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202110584317.4 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314489B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 邢程;王清蕴 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：第一衬底，第一衬底具有第一面和第二面，第一衬底内具有若干第一连接层且第一面暴露出第一连接层表面，第一连接层在第一衬底第一面的投影为长方形，长方形具有第一边和第二边，且第一边大于第二边；与第一衬底键合的第二衬底，第二衬底具有第三面和第四面，第二衬底第三面和第一衬底第一面键合，第二衬底内具有若干第二连接层且第三面暴露出第二连接层表面，第二连接层在第二衬底表面的投影为长方形，长方形具有第三边和第四边，且第三边大于第四边，若干第一连接层和若干第二连接层一一对应，对应的第一连接层表面和第二连接层表面重合，且第一边与第三边垂直。所述半导体结构的性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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