[发明专利]低应力MEMS封装结构及其封装方法在审

专利信息
申请号: 202110584557.4 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN115432661A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 郑志荣;吴炆皜;陈学峰;胡乃仁;孙长委 申请(专利权)人: 苏州固锝电子股份有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 昆山中际国创知识产权代理有限公司 32311 代理人: 盛建德;张小培
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种低应力MEMS封装结构及其封装方法,包括平面载体、芯片、封装盖和保护膜,芯片固定设置于平面载体的一表面上,且芯片上的电极与平面载体上的引脚键合连接;封装盖罩设于芯片外、并同时与平面载体的一表面固定连接,且封装盖与平面载体一表面一起合围成的腔室还形成为真空状态;保护膜通过真空覆膜技术及高温压膜固化技术密封包裹于封装盖外,以确保该腔室保持真空状态。该低应力MEMS封装结构及其封装方法可有效克服因多种材料结合而产生的应力影响、以及有效避免外界湿度、压力等对产品稳定性造成影响,大大提升了MEMS封装结构的性能。
搜索关键词: 应力 mems 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
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