[发明专利]一种高温相硼硅酸镧晶体的生长方法及应用有效
申请号: | 202110584610.0 | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN113322508B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 李凌云;施艺;黄发铮;周子伟;李信旭;于岩 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | C30B9/12 | 分类号: | C30B9/12;C30B29/34;C09K11/79 |
代理公司: | 厦门致群财富专利代理事务所(普通合伙) 35224 | 代理人: | 刘兆庆 |
地址: | 350000 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种高温相硼硅酸镧晶体的生长方法,高温相硼硅酸镧晶体为β‑La |
||
搜索关键词: | 一种 高温 硅酸 晶体 生长 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学,未经福州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110584610.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。