[发明专利]一种碳化硅粉体颗粒长大的方法在审
| 申请号： | 202110584891.X | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113322509A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 樊子民;王晓刚 | 申请（专利权）人： | 西安博尔新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B28/04;C30B29/36 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 马小燕 |
| 地址： | 710089 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅粉体颗粒长大的方法，该方法包括：一、将可溶性无机盐加热至熔融温度搅拌，冷却后磨细过筛得到熔盐粉；二、将熔盐粉与碳化硅粉体配比并混合均匀得到混合物；三、将混合物在熔盐粉的共熔温度以上保温得到熔融物；四、将熔融物冷却至室温后研磨，经洗涤、静置和干燥，得到长大的碳化硅粉体颗粒。本发明采用可溶性无机盐为熔盐体系，与碳化硅粉体混合共熔，使得小的碳化硅颗粒优先溶解，并在大的碳化硅颗粒上沉淀而逐渐长大，同时部分杂质也会通过熔盐而除去，有利于碳化硅晶体的生长，提高了长大的碳化硅粉体颗粒的质量纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 颗粒 长大 方法 | ||
【主权项】：
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