[发明专利]一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法有效
| 申请号： | 202110585972.1 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314647B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 223800 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法。所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、第一缓冲层、第一UGaN层、剥离保护层、第二缓冲层、第二UGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层。本发明增加剥离保护层的设计，现有的剥离技术不会对上层外延结构造成破坏，可改善因剥离技术不成熟导致上层外延结构损伤导致漏电率增加，不会影响垂直芯片的电性能，从而增强垂直结构激光剥离成功率和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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