[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110588154.7 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN114171453A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈暐钧;陈旷举;刘汉英 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 周永君;叶明川 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：形成凹槽在基板上。凹槽具有侧表面与底表面。形成第一介电层于凹槽的侧表面与底表面、以及基板上，以使第一介电层具有沟槽。填充第一导电材料于沟槽中。回蚀第一导电材料，以形成第一导电层并暴露位于凹槽的侧表面上的第一介电层的一部分。刻蚀第一介电层，使得位于凹槽的侧表面上的第一介电层的上述部分具有沿着远离凹槽的底表面的方向变小的宽度。填充第二导电材料于沟槽中，以形成在第一导电层上的第二导电层。本发明实施例提供的半导体结构及其形成方法，能够减少或避免产生在被形成的导电结构中的缺陷，来获得具有更优良的电性特征及可靠性的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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