[发明专利]一种MoS2有效

专利信息
申请号: 202110589903.8 申请日: 2021-05-28
公开(公告)号: CN113292249B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 黄胜利;万景;刘家赫;赵经天;王紫云;郭生士;李书平;康俊勇 申请(专利权)人: 厦门大学;厦门大学九江研究院;厦门大学深圳研究院
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34;C03C17/22;C03C17/245;C01G39/06;C01G9/02;C01G5/00;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 张素斌
地址: 361005 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法,先制备MoS2纳米管阵列,然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜,最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体,先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层,再用水热法生长ZnO纳米棒阵列,随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜,用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列,再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜,最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点,得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面,可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性,适用于光伏电池和光催化剂等领域。
搜索关键词: 一种 mos base sub
【主权项】:
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