[发明专利]一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料表面生长纳米二氧化钛光触媒的方法在审
| 申请号： | 202110590294.8 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113198442A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杨云军 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | B01J21/06 | 分类号： | B01J21/06;B01J37/34 |
| 代理公司： | 济南格源知识产权代理有限公司 37306 | 代理人： | 韩洪淼 |
| 地址： | 250307 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料表面生长纳米二氧化钛光触媒的方法，本发明以纯钛为靶材，采用等离子体真空溅射工艺，在纯氧环境中，直接从填料表面生长出纳米级别的二氧化钛光触媒催化剂。本发明可在填料表面生成均匀的纳米二氧化钛薄膜，结合牢固，催化活性高，使用效果稳定性能优良，可有效解决光催化氧化效率低，稳定性能差的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 等离子体 轰击 钛靶材 填料 表面 生长 纳米 氧化 触媒 方法 | ||
【主权项】：
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