[发明专利]相变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110591332.1 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113314503B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张曙;王晓娟;雷威锋;刘峻;张恒 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相变存储器及其制备方法。该相变存储器包括依次贯穿辅助字线层和辅助位线层的第一接触插塞，该第一接触插塞的外侧壁具有隔离层，从而可避免第一接触插塞中的导电材料层与辅助字线/辅助位线相互干扰。如此，即有利于灵活设置辅助位线、辅助字线和第一接触插塞，防止对应的位线层和字线层中存在图形密度过低的区域，有利于提高所制备出的位线层和字线层的膜层品质，并且可提高第一接触插塞的数量。此外，由于辅助位线、辅助字线和第一接触插塞的排布区域可允许空间重叠，因此还可实现器件尺寸的有效缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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