[发明专利]一种晶圆双层输送机构在审
申请号: | 202110591897.X | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113345825A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 宣荣卫;陈娟 | 申请(专利权)人: | 艾华(无锡)半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 张宁;杨辰 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,具体为一种晶圆双层输送机构,其能够提高输送效率和设备产能,简化维护操作,其包括安装于底座的下层输送机构,其特征在于,下层输送机构上方设置有上层输送机构,上层输送机构和下层输送机构机构均包括并排布置的至少两个槽体,每个槽体上安装有辊筒轴承座和输送辊筒,下层输送机构的输送起始端第一个槽体为固定槽体,其余的槽体为活动槽体且底部通过滑块与底座上的导轨滑动连接,上层输送机构的输送起始端第一个槽体位于下层输送机构的的输送起始端第二个槽体上方,下层输送机构一侧为传动侧、另一侧为操作侧,下层输送机构的活动槽体可在操作侧向外拉出。 | ||
搜索关键词: | 一种 双层 输送 机构 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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