[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202110593143.8 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113327912B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 周文婷;段淑卿;凌翔;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L29/423;H01L23/52 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：浅沟槽隔离结构；导电性区域；第一栅极结构，位于浅沟槽隔离结构上，包括：第一栅极、第一金属层和连接件，第一金属层位于第一栅极的两侧，第一栅极的每侧的第一金属层均沿着第一栅极的延伸方向被切断成两部分，第一栅极的一端的两侧的第一金属层。通过连接件连接，相邻第一栅极的不同端的两侧的第一金属层通过连接件连接；第二栅极结构，部分位于浅沟槽隔离结构上，部分位于导电性区域上。包括：第二栅极，第一金属层和连接件，第一金属层位于第二栅极的两侧，第二栅极的一端的两侧的第一金属层通过连接件连接，相邻第二栅极的不同端的两侧的第一金属层通过连接件连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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