[发明专利]一种用于FinFET多阈值电压的无损伤掺杂方法在审
| 申请号： | 202110597495.0 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113394108A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于FinFET多阈值电压的无损伤掺杂方法，横向相互间隔排列的第一至第四Fin结构；在第一至第四Fin结构上沉积多晶硅层；在多晶硅层上沉积氧化层，在氧化层上沉积硬掩膜层；将多晶硅层图形化形成多晶硅栅；去除第一Fin结构上的多晶硅栅；在第一Fin结构上沉积BSG层；去除第三Fin结构上的多晶硅栅，在第三Fin结构上形成PSG层；退火使第一Fin结构上的BSG层中硅向第一Fin结构内部进行侧向扩散，使第三Fin结构的PSG中的磷向第三Fin结构内部进行侧向扩散；去除第二、第四Fin结构的多晶硅栅；去除第一Fin结构上的BSG层、去除第三Fin结构的PSG层，分别将第一、第三Fin结构暴露。本发明的掺杂方法不会对器件造成损伤，提高了器件性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 finfet 阈值 电压 损伤 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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