[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110597885.8 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113948496A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 丰田善昭 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，在将输出级元件以及用于检测流过输出级元件的主电流的检测用元件集成到同一半导体芯片的情况下，能够缩小芯片面积。输出级元件和检测用元件具备：沟道形成区，其设置于漂移区的上部；主电极区，其设置于沟道形成区的上部；以及栅极电极，其隔着栅极绝缘膜被填埋到与主电极区、沟道形成区以及漂移区相接的第一沟槽，其中，在平面图案上，多条输出级元件和检测用元件共用的第一沟槽延伸，与第一沟槽正交且相互平行地延伸的多条第二沟槽将检测用元件夹在中间，由此将输出级元件的沟道形成区与检测用元件的沟道形成区分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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