[发明专利]一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110599219.8 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113363381B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王琦;鲜林燕;王正;贺德衍 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京元理果知识产权代理事务所(普通合伙) 11938 | 代理人： | 饶小平 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括：聚乙烯亚胺和氮化硼量子点。该有机忆阻器，包括所述阻变层材料形成的阻变层。本发明提供的阻变层材料包括聚乙烯亚胺(PEI)和氮化硼量子点(BNQDs)，将掺杂氮化硼量子点形成的聚乙烯亚胺有机薄膜作为阻变层，形成的有机忆阻器在220℃下测试表现出良好的性能，且在室温下测量时可循环万次以上，表现出良好的循环性能和保持性。本发明提供的阻变层材料在将来的存储器件尤其是柔性存储器件上有非常好的应用价值，使得未来存储和未来计算在极端环境下也能正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻变层 材料 有机 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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