[发明专利]MEMS传感器缺陷检测的方法及系统在审
| 申请号： | 202110600260.2 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113344870A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 邓明星;张鲲 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06N3/04;G06N3/08 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 郑勤振 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明MEMS传感器缺陷检测的方法及系统，采用对抗生成神经网络结合Faster R‑CNN网络进行MEMS传感器缺陷检测。本发明较传统的Faster R‑CNN方法的优点在于它可以利用对抗生成神经网络生成更多的feature map，然后对生成的建议框进行回归调整，去提升网络预测的准确率，解决了样本数据集较少的问题。另外，本发明是去生成feature map，其尺寸一般不是很大，所以实现起来容易，再加上生成的feature map只是用来去训练生成建议框的回归层，所以不用在乎生成器生成的是哪一类疵病的feature map，这样就可以不用再把生成的feature map进行标注，这样也大大的降低了制作数据集的工作量，同时也解决了疵病图缺少导致训练数据不足的情况。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 缺陷 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
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