[发明专利]嵌入式SiP外延层的制造方法在审
| 申请号： | 202110600320.0 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113394161A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;郑凯仁;张瑜;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式SiP外延层的制造方法，包括：步骤一、提供形成有半导体器件的栅极结构的硅衬底并在栅极结构两侧自对准形成凹槽。步骤二、在凹槽中填充嵌入式SiP外延层，包括：步骤21、进行第一次选择性外延生长在凹槽的内侧表面形成SiP缓冲层。步骤22、进行第二次选择性外延生长形成SiP主体层，SiP主体层生长完成后会在栅极结构的侧面上形成缺陷种子层。步骤23、对嵌入式SiP外延层进行回刻以将缺陷种子层去除。本发明能消除嵌入式SiP外延层形成工艺中产生的不可检测的缺陷种子层，从而能防止在嵌入式SiP外延层形成后的后续工艺中形成缺陷并从而能提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 sip 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
