[发明专利]一种高侧NMOS功率管预充电电路有效
| 申请号： | 202110601513.8 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113328613B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 闸钢 | 申请（专利权）人： | 深圳能芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/36 | 分类号： | H02M1/36;H02H7/12 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 刘希豪 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高侧NMOS功率管预充电电路，包括高侧NMOS功率管，所述高侧NMOS功率管的栅极连接有电荷泵和预充电电路；所述预充电电路包括PM0、PM1、PM2、NM0和反相器IV，由信号CHG来控制预充电电路；其中NM0用于在预充电时将PM1的栅极与PM0的栅极短接在一起，使PM0和PM1同时导通；PM2用于预充电结束之后将PM1的栅极与源极短接在一起使PM1截止，切断高侧NMOS功率管的栅极与VCC之间的通路，本发明高侧NMOS功率管栅极电压预充电电路，使得预充电效果最佳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 功率管 充电 电路 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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