[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202110601772.0 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115207077A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 刘莒光;杨弘堃 | 申请（专利权）人： | 杰力科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;黄健 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管，包括：基板、成核层、缓冲层、信道层、阻挡层、栅极、源极、漏极、以及第一p型氮化镓岛。成核层设置在基板上。缓冲层设置在成核层上。信道层设置在缓冲层上。阻挡层设置在信道层上。栅极设置在阻挡层上。源极设置在栅极的第一侧的阻挡层上。漏极设置在栅极的第二侧的阻挡层上。栅极的第二侧是相对于栅极的第一侧。多个第一p型氮化镓岛分别设置在漏极的第一侧与栅极的第二侧之间，其中所述多个第一p型氮化镓岛电位是浮动的。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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