[发明专利]一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法有效
| 申请号： | 202110603475.X | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113293429B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王国强;李凌云 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/46 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种单斜相Ga |
||
| 搜索关键词： | 一种 单斜 ga2s3 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学，未经福州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110603475.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
