[发明专利]保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器在审

专利信息
申请号: 202110603571.4 申请日: 2021-05-31
公开(公告)号: CN113341236A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 张家洪;张元英;赵振刚;李英娜 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: G01R29/08 分类号: G01R29/08
代理公司: 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 代理人: 张雪
地址: 650093 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开一种保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器,传感器包括输入端封装底座、输入保偏光纤准直器、电光晶体、封装外壳、输出保偏光纤准直器、输出端封装底座;输入保偏光纤准直器的输出端面与电光晶体的通光面平行设置;电光晶体位于输入保偏光纤准直器与输出保偏光纤准直器之间,输出保偏光纤准直器与输入保偏光纤准直器同轴设置;输入端封装底座和输出端封装底座均固定在封装外壳上;保偏光纤分别与输入保偏光纤准直器和输出保偏光纤准直器耦合。本发明通过利用保偏光纤的扭转解决了静态工作点的设置问题,减少了1/4波片的使用;通过保偏光纤的直接耦合令光路的传输效率得到了提高,减少了起偏器的使用,简化了传感器的设计结构。
搜索关键词: 偏光 耦合 电光 晶体 电场 传感器
【主权项】:
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