[发明专利]测试三维存储器单元阵列的方法和存储器电路在审
| 申请号： | 202110603735.3 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113380313A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;吕士濂;杨世海 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08;G11C29/50;G11C11/34;G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种测试三维(3D)存储器单元阵列的方法，包括将数据写入3D存储器单元阵列中的存储器单元的每个层，同时执行3D存储器单元阵列的至少第一支列中的每个存储器单元的读取操作，确定3D存储器单元阵列中的一个存储器单元是否响应于读取操作而发生故障，并响应于确定该3D存储器单元阵列中的存储器单元发生故障而将3D存储器单元阵列中的至少一个故障存储器单元替换为备用存储器单元。第一支列包括在3D存储器单元阵列的每个对应层上的存储器单元。本发明的实施例还涉及一种存储器电路。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 三维 存储器 单元 阵列 方法 电路 | ||
【主权项】：
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