[发明专利]掩膜版图形的修正方法、装置以及半导体器件的制作方法

摘要

本申请提供了一种掩膜版图形的修正方法、装置以及半导体器件的制作方法，该掩膜版图形的修正方法包括：获取掩膜版的初始图形，初始图形包括划片槽区域以及多个间隔的芯片区域，划片槽区域位于相邻的两个芯片区域之间，芯片区域包括芯片子区域以及第一子TEG区域，划片槽区域包括划片槽子区域以及第二子TEG区域，第一子TEG区域以及第二子TEG区域相邻，第一子TEG区域以及第二子TEG区域构成TEG区域；对初始图形的除TEG区域之外的区域进行光学邻近效应修正，得到最终图形。该方法保证了OPC后得到的最终图形不会产生细缝，避免了现有技术中OPC后的掩膜版上有细缝的问题，保证了形成的最终图形的效果较好。