[发明专利]一种用于SiC单晶生长的核壳结构粉料及其制备工艺在审
| 申请号： | 202110606488.2 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113479888A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陈启生;许学仁 | 申请（专利权）人： | 中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956;C01B32/984;C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010000 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明申请提出了一种用于SiC单晶生长的核壳结构粉料及其制备工艺。所述粉料包括核心、中间层和外壳，所述核心为大粒径Si颗粒和小粒径SiC颗粒的SiC‑Si混合粉末，所述中间层为大粒径SiC粉末，所述外壳为富碳的SiC粉末，所述外壳的富碳的SiC粉末为SiC粉末在石墨坩埚中经过2000℃~2400℃加热后获得。采用物理气相传输法制备碳化硅单晶时，本发明申请的核壳结构粉料可以实现不同粉料碳化硅颗粒的有效隔离，在不同受热升华阶段可实现对碳硅组分的合理调整，进而有效改善现有碳化硅粉料受热升华过程中的烧结和受热不均匀问题，最终有助于获得高质量的碳化硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 sic 生长 结构 料及 制备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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