[发明专利]一种高精度POR电路有效
申请号: | 202110606752.2 | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN113315498B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 李博文;刘明磊;柳雪晶 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | H03K17/284 | 分类号: | H03K17/284;H03K17/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出了一种高精度POR电路,主要应用于双界面智能卡。随着芯片工艺特征尺寸的持续降低,MOS器件特性变得更加不稳定,传统POR基于器件自身特性,其检测点电压同样变得精度不够,对智能卡类产品的上下电过程造成无法启动的功能风险。本发明针对双界面卡类产品,对POR高精度的检测点电压及非接模式下高精度延迟时间的需求,提出了解决方案。该方案利用了带隙基准电压产生电路(band‑gap)trimming前的输出参考电压,与VCC分压进行比较的方式产生复位信号,提高了检测点电压的精度;同时利用电阻加MOS器件做电阻,结合电容形成RC网络的方式,在需要较长延迟时间的智能卡接触模式,开启电阻和MOS器件;在需要精确且较短延迟时间的非接触模式,仅开启电阻,获得精确的延迟时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 高精度 por 电路 | ||
【主权项】:
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