[发明专利]具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备有效
| 申请号： | 202110608165.7 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113337893B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈启生;许学仁 | 申请（专利权）人： | 中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010000 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明申请公开了一种具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，包括石英管、感应线圈和石墨坩埚，所述石墨坩埚包括碳化硅粉末加热区、生长腔室和籽晶托，所述碳化硅粉末加热区与所述生长腔室之间还设有第二盖板和第三盖板，所述碳化硅粉末加热区底部设有穿过碳化硅粉末的竖直气管。本发明申请的技术方案采用石墨坩埚底部结构和多盖板相配合的结构，实现了对碳化硅粉末加热区的多空间分隔，改变了碳化硅粉末升华后气体组分的输出路径，使得升华气体多次通过碳化硅粉末并形成持续大循环，使得碳化硅粉末得到多次重复加热，协调富硅组分和富碳组分气体的升华速度，进而获得高质量的碳化硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 生长 气氛 中碳硅 比例 调节 功能 碳化硅 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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