[发明专利]材料沉积系统以及相关方法和微电子装置在审
申请号: | 202110608421.2 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN113755825A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | J·A·斯迈思;G·S·桑胡;S·C·潘迪;M·E·科乌通斯基 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/04;C23C16/30;C23C16/32;C23C16/38;H01L21/033 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本专利申请涉及材料沉积系统,以及相关方法和微电子装置。一种材料沉积系统包括前体源以及与所述前体源选择性流体连通的化学气相沉积设备。所述前体源经配置以含有呈液态和固态中的一或多者的至少一种含金属前体材料。所述化学气相沉积设备包括壳体结构、分配歧管和衬底固持器。所述壳体结构经配置和定位以接收包括所述至少一种含金属前体材料的至少一个馈送流体流。所述分配歧管在所述壳体结构内,且与信号发生器电连通。所述衬底固持器在所述壳体结构内,与分配组件间隔开,且与额外信号发生器电连通。还描述了一种微电子装置和形成微电子装置的方法。 | ||
搜索关键词: | 材料 沉积 系统 以及 相关 方法 微电子 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的