[发明专利]三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法

摘要

本文公开了具有阶梯结构的3D存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，该3D存储器件包括存储阵列结构和阶梯结构。该阶梯结构位于存储阵列结构的中间，并且沿横向方向将存储阵列结构划分成第一存储阵列结构和第二存储阵列结构。该阶梯结构包括沿横向方向延伸的多个台阶、以及与存储阵列结构接触的桥接结构。这些台阶包括一个或多个电介质对上方的台阶。该台阶包括电连接到桥接结构的导体部分，并且通过桥接结构电连接到存储阵列结构。沿着垂直于横向方向的第二横向方向并且远离桥接结构，导体部分的宽度减小。