[发明专利]简单高效的单结N型单晶硅电池技术

摘要

本发明专利，简单高效的单结N型单晶硅电池技术，是一种工艺简单可靠且产线设备成本极低的单PN结的N型单晶硅光伏电池技术。该工艺简单的单结N型单晶硅太阳能电池，主要由N型单晶硅、正面硼扩散层、正面超薄金属非金属钝化层、正面透明导电减反层和丝网印刷阳极栅层，背面超薄非金属钝化层、背面超薄金属合金层、背面透明导电层和丝网印刷阴极栅层等组成。该电池技术工艺流程主要为：双面制绒清洗、正面硼扩散、刻蚀抛光、正面超薄金属非金属钝化层、背面超薄非金属钝化层、背面超薄金属合金层、中低温退火、正面透明导电减反层、背面透明导电层、正面丝网印刷阳极栅层、背面丝网印刷阴极栅层、低温退火、测试等。其中所有镀膜层以低成本的更环保的磁控溅射等物理镀膜工艺为主。本发明的结构工艺简单的单结N型单晶硅太阳能电池，量产效率≥24%。