[发明专利]高电位梯度压敏电阻片的制备方法在审
| 申请号： | 202110611033.X | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113506664A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 万帅;曹伟;谷山强;谭进;刘新;杜雪松;王智凯;刘子皓 | 申请（专利权）人： | 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网电力科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/00 | 分类号： | H01C17/00;H01C17/30;H01C7/112;H01C7/115;H01C7/12 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 潘杰 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高电位梯度压敏电阻片的制备方法，该方法经准备电阻片的原料、混合粉料的制备、总浆料的制备、坯体的制备和烧结五大步骤制备得到压敏电阻片；本发明方法在引入Ga(NO |
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| 搜索关键词： | 电位 梯度 压敏电阻 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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