[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110612944.4 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113345911A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 罗佳明;王建东;李拓;杨永刚;李华东;张莉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11556 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李健 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制备方法，先在衬底上交替堆叠层间绝缘层和层间介质层形成以叠层结构，然后形成垂直贯穿叠层结构的沟道结构，再去除层间介质层形成凹槽，最后去除部分层间绝缘层，并在凹槽内填充栅极导体层。其中，在形成沟道结构之前，增加了层间绝缘层的厚度且减小了层间介质层的厚度，因此可以降低形成沟道结构的刻蚀工艺难度，且可以减小层间介质层导致的晶圆应力。另外，在最后去除了增加的层间绝缘层后，还能保证最终叠层结构中层间绝缘层和层间介质层的厚度为各自所需的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
