[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110613105.4 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113451399A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘利书 | 申请（专利权）人： | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 瞿璨 |
| 地址： | 528311 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，绝缘栅双极型晶体管的制备方法包括：提供一衬底单晶；在所述衬底单晶两侧分别形成扩散层，所述扩散层由杂质原子经退火扩散入所述衬底单晶形成，所述衬底单晶与所述扩散层的掺杂类型相同；在一侧所述扩散层形成体区，所述体区与所述扩散层的掺杂类型相反；在所述体区形成发射极区，所述体区位于所述扩散层和所述发射极区之间，所述发射极区与所述扩散层掺杂类型相同。通过采用退火扩散的方法将杂质原子扩散入单晶衬底形成扩散层，扩散层的原子掺杂浓度单调降低、且变化缓慢，扩散层与体区之间的PN结耐压适用于缓变结的方程，有效提高器件耐压，且导通压降更低。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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